期刊文献+

耿氏二极管的几种失效模式及其机理分析 被引量:1

Failure Mode and Mechanism Analysis of Gunn Diode
下载PDF
导出
摘要 介绍了耿氏二极管的工作原理及其基本结构,通过外观检查、电特性测试、环境试验、内部目检、X射线及扫描电镜(SEM)检查等失效分析手段和方法,针对耿氏二极管在使用过程中较常出现的短路、开路及管帽脱落等失效模式及失效机理进行了分析和讨论,并根据上述几种失效模式对应的机理,指出了避免失效的一些措施,对该器件的制造商和使用者具有一定的参考价值。 The basic structure and working principle of Gunn diodes were introduced, some failure modes such as short or open circuit, cap fall off were analyzed and discussed through appearance inspection, electricity characteristic test, environment test, interior inspection, X-ray, SEM etc. Some effective measures were given to avoid analogous failure, it provides better reference to the manufacturers and users of the Gunn diode.
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期363-365,共3页 Semiconductor Technology
关键词 耿氏二极管 可靠性 失效模式 失效机理 Gunn diode reliability failure mode failure mechanism
  • 相关文献

参考文献2

二级参考文献3

  • 1刘恩科 朱秉升 罗晋生.半导体物理学[M].北京:国防工业出版社,1994..
  • 2王蕴仪, 苗敬峰, 沈楚玉. 微波器件与电路[M].南京:江苏科学技术出版社, 1986.
  • 3电子工业生产技术手册[K].北京:国防工业出版社,1992:688—692.

共引文献1

引证文献1

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部