InGaAs/GaAs应变量子阱的低温光伏谱被引量：1

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摘要用光伏谱方法研究了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱结构中各子能级间的光跃迁，并与理论计算的结果进行了比较．分析了光伏谱峰能量随阱宽与温度的变化，并讨论了光伏谱峰强度的温度关系．

作者吴正云王小军余辛黄启圣

机构地区厦门大学物理系

出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期330-334,共5页 Journal of Infrared and Millimeter Waves

基金国家自然科学资金福建省自然科学基金

关键词光伏谱应变量子阱铟镓砷/砷化镓

参考文献10

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红外与毫米波学报

1997年第5期

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