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薄膜形成装置的洗净方法

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摘要热处理装置的洗净处理包括将反应室内加热到300℃的加热工序和去除附着在热处理装置内部的氮化硅的洗净工序。在洗净工序中，将含有氟气和氯气及氮气的清洗气体供给加热到300℃反应管内，去除氮化硅而洗净热处理装置的内部。

机构地区日本东京毅力科创株式会社

出处《表面技术》 EI CAS CSCD 2008年第2期51-51,共1页 Surface Technology

关键词热处理装置洗净膜形成内加热氮化硅反应室工序管内

分类号 TQ174.758 [化学工程—陶瓷工业] TG155 [金属学及工艺—热处理]

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表面技术

2008年第2期

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