Intel公司发现高K／金属栅能够减轻CMOS特性不均

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摘要日前Intel公司在国际电子器件会议上首次发表了高介电常数（high-k）绝缘膜／金属栅的45nm CMOS特性不均数据。根据该数据，人们惊奇地发现，如果晶体管尺寸相同，45nm CMOS阈值电压的不均现象比不采用高k／金属栅的65nm CMOS的还小。

出处《电子设计应用》 2008年第3期122-122,共1页 Electronic Design & Application World

关键词 Intel公司 CMOS 金属栅特性高介电常数电子器件阈值电压绝缘膜

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电子设计应用

2008年第3期

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