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飞兆半导体40VP沟道MOSFET新品

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摘要飞兆半导体的40V P沟道Power Trench MOSFET产品FDD4141，可将开关损耗减少一半。FDD4141具有低导通阻抗[RDS（ON）]，与目前的MOSFET比较能降低栅极电荷（QG）达50％，

出处《家电科技》 2008年第7期36-36,共1页 Journal of Appliance Science & Technology

关键词 P沟道MOSFET 飞兆半导体 Power 开关损耗导通阻抗栅极电荷

分类号 TN386 [电子电信—物理电子学] TN622 [电子电信—电路与系统]

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家电科技

2008年第7期

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