超低价DRAM及其低成本技术——采用先进工艺并改进存储单元的布局 使DRAM成本每年下降30％

在2007年9月召开的ISTF（工业战略技术论坛）2007上，尔必达公司的执行董事兼CTO安达隆郎宣称：“2011年左右，公司将开始量产采用40nm工艺的DRAM，其存储单元面积将削减到4F（F是最小特征尺寸）。”