飞兆半导体推出40VP沟道MOSFET

飞兆半导体公司近日推出40VP沟道Power Trench MOSFET产品FDD4141，为功率工程师提供快速开关的解决方案，可将开关损耗减少达一半。FDD4141具有低导通阻抗，与目前的MOSFET比较能降低栅极电荷达50％，可让便携、计算、消费和家庭娱乐产品中的异步降压、电池充电和逆变器开关等应用，以更高的速度进行切换，而不会产生过多的热量。