线性区工作模式下沟道中的载流子迁移率和温度梯度如何影响功率MOSFET的温度系数(TC)：理论研究、测试和仿真
被引量：2
摘要
本文研究了MOSFET反型层中载流子的迁移率以及迁移率如何影响温度系数(TC)。迁移率模型中考虑了在反型层中所有的散射机构。本研究对TC进行了新的考虑,并用一个实例验证了提出的模型。
出处
《电力电子》
2008年第1期37-41,共5页
Power Electronics
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