飞兆全新器件提高感应加热应用的效率

飞兆半导体公司推出全新1200V Field Stop Trench IGBT系列器件FGA20N120FFD和FcAl5N120FTD，为电磁感应加热应用的系统设计人员提供了高效的解决方案。这些IGBT同时采用Field Stop（场截止）结构和抗雪崩的Trench gate（沟道栅）技术，可在传导损耗和开关损耗之间提供最佳权衡，从而获得最高的效率。与传统的NPT-Trench IGBT器件相比，FGA20N120FTD可减小25％的导通损耗、8％的开关损耗，并大幅降低系统工作温度。由于冷却要求降低，系统可靠性得以增强，系统总成本减小。这些器件还内置了专为零电压开关（ZVS）技术而优化的快速恢复二极管（FRD），进一步提高了可靠性。