摘要
飞兆半导体公司推出全新1200V Field Stop Trench IGBT系列器件FGA20N120FFD和FcAl5N120FTD,为电磁感应加热应用的系统设计人员提供了高效的解决方案。这些IGBT同时采用Field Stop(场截止)结构和抗雪崩的Trench gate(沟道栅)技术,可在传导损耗和开关损耗之间提供最佳权衡,从而获得最高的效率。与传统的NPT-Trench IGBT器件相比,FGA20N120FTD可减小25%的导通损耗、8%的开关损耗,并大幅降低系统工作温度。由于冷却要求降低,系统可靠性得以增强,系统总成本减小。这些器件还内置了专为零电压开关(ZVS)技术而优化的快速恢复二极管(FRD),进一步提高了可靠性。
出处
《中国集成电路》
2008年第4期4-4,共1页
China lntegrated Circuit