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半导体多晶薄膜的瞬态光电导

Transient Photoconductivity in Semic0nductor Polycrystal Thin Film
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摘要 在低温下观察到半导体多晶薄膜的瞬态光电导现象.给出了三维理论模型.理论研究表明,陷阶引起光电导,光生载流子通过隧道效应实现复合,使光电导逐渐衰减.我们的实验结果与理论计算结果符合得相当好. The transient photoconductivity in a semiconductor polycrystal thin film has been observed at low temperature. A three dimension theory model is given in this paper.The theoretical research demonstrates that trapping and recombination of photoexcited carriers is realized by a tunneling effect,which results in the photoconductivity decay. Our experirnental results are in good agreement with the theoretical calculated results.
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第11期814-819,共6页 半导体学报(英文版)
  • 相关文献

参考文献1

  • 1D. E. Theodorou,H. J. Queisser. Illumination-dose dependence of persistent photoconductivity ofn-GaAs epitaxial layers[J] 1980,Applied Physics(2):121~126

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