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雪崩击穿特性的高压硅二极管
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摘要
叙述了具有雪崩击穿特性的高压二极管的设计及一次全扩散工艺概况以及实际应用的效果。
作者
项兴荣
机构地区
天津中环半导体公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第5期35-37,共3页
Semiconductor Technology
关键词
高压二极管
雪崩击穿
一次全扩散
分类号
TN313.105 [电子电信—物理电子学]
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半导体技术
1997年 第5期
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