场效应晶体管TVS保护电路的改进

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摘要通常引起场效应晶体管（MOSFET）失效的主要原因是漏极-源极之间的电压（UDS）过高。电感负载的通断可使得场效应晶体管的UDS超过击穿电压。为保护大功率场效应晶体管，必须采取保护措施。保护场效应晶体管的措施很多，这例采用TVS保护是将TVS并联于D-S极之间。接线时，切忌极性接错（见图1所示）。

作者曹建平

出处《家电检修技术》 2008年第1期45-45,共1页

关键词功率场效应晶体管保护电路 TVS 击穿电压电感负载保护措施 UDS

分类号 TN386 [电子电信—物理电子学] TN949.12 [电子电信—信号与信息处理]

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