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铝导带薄膜混合集成电路工艺

Al Conduction Band in Thin Film HIC
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摘要 在薄膜混合集成电路中,以铝导带代替金导带不失为一种廉价而很有前景的工艺,但铝与银浆的黏接在一定的温度和时间下,会产生一种绝缘金属间化合物,需要一定的电压才能击穿,从而使最终产品失效。采用Al-Ni复合导带可以解决上述问题,并得到满意的结果。 It is a promising technology using Al conduction band in thin film HIC The problem is that when Al paste and Ag paste adhere to each other, at a certain temperature and for a certain period of time,a insulative intermetallic compound would be produced It could not be broken down until the voltage across reaches a certain level, which would lead to the failure of end products, The problem can be solved by means of Al Ni composite compound band
作者 杨成刚
机构地区 国营四四三三厂
出处 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1997年第5期47-50,共4页 Electronic Components And Materials
关键词 真空沉积 刻蚀 金属间化合物 薄膜电路 vacuum deposition, composite conduction band,etching, intermetallic compound
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