高质量半绝缘GaN的制备

GaN作为宽禁带半导体材料之一，因其良好的热稳定性、较高的击穿电压，在高功率高频率电子器件方面有较大发展前途。通常非掺杂GaN因Ga空位和残余氧表现为n型。掺入某些金属元素（如铁）作为深能级受主，利用补偿作用可改善GaN电学性质。