一种氧化钛掺钴室温稀磁半导体材料的制备方法

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摘要本发明提供一种室温铁磁掺钴氧化钛稀磁半导体材料的制备方法，属于新型半导体自旋电子器件材料制备领域。该方法首先将rri氧化物和co氧化物进行混合，采用固相烧结反应法制备Co4Ti1-4O2材料，然后将co小。舶：材料压制成片，在含有氢气的气氛下进行退火处理，退火后的CoaTi。一p：材料具有室温铁磁性。采用本发明制得的室温铁磁．

机构地区北京大学

出处《稀有金属快报》 CSCD 2008年第4期6-6,共1页 Rare Metals Letters

关键词半导体材料制备方法氧化钛室温掺钴自旋电子器件退火处理铁磁性

分类号 TQ174.758 [化学工程—陶瓷工业] TN304 [电子电信—物理电子学]

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1陈光华,张津燕,甘润今,张仿清.掺过渡金属钴的非晶硅薄膜的研究[J].电子学报,1991,19(5):111-113.
2赵义平,方晓东,苏清磊,邓赞红,陶汝华,董伟伟,王涛,李达,朱雪斌.Co:TiO_2稀磁半导体研究进展[J].材料导报,2007,21(6):23-27. 被引量：4
3崔益本,姜芸芸.宽调谐室温Co：MgF2激光器[J].激光与光电子学进展,1996(7):93-93.
4颜昌富,彭永元.掺钴二氧化铅电极的电化学性能的研究[J].广东化工,1991(4):25-27. 被引量：1
5贾小东,杜金会,于振瑞,李长安.脉冲电沉积法制备掺钴WO_3薄膜[J].光电子技术,1999,19(4):239-242. 被引量：6
6孙辉.LiV3O8掺杂钴元素的研究[J].福建化工,2004(3):4-7.
7崔益本,姜芸芸,纪玉峰.Co：MgF_2光谱特性与可调谐激光技术[J].光电子技术与信息,1995,8(6):13-16. 被引量：8
8孙颖,杨觎.X射线荧光光谱法测定镁砂中的主要元素[J].天津冶金,2010(4):37-38. 被引量：2
9武丽华.Zn_(0.95)Fe_(0.05)O稀磁半导体粉体的制备与表征[J].玻璃,2017,44(2):9-13.
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