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等离子体去胶对低K材料损伤的问题研究 被引量:1

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摘要 本文介绍了铜镶嵌工艺中的低K电介质材料和电介质刻蚀/去胶技术,研究了In-Situ等离子体去胶对低K电介质材料损伤的问题并提出了最大限度地减少去胶损伤的方法。
出处 《集成电路应用》 2008年第4期36-38,共3页 Application of IC
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