等离子体去胶对低K材料损伤的问题研究被引量：1

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摘要本文介绍了铜镶嵌工艺中的低K电介质材料和电介质刻蚀/去胶技术,研究了In-Situ等离子体去胶对低K电介质材料损伤的问题并提出了最大限度地减少去胶损伤的方法。

作者周旭升倪图强程秀兰

机构地区中微半导体设备上海有限公司上海交通大学微电子学院

出处《集成电路应用》 2008年第4期36-38,共3页 Application of IC

关键词材料损伤等离子体电介质材料低K电介质镶嵌工艺

同被引文献10

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集成电路应用

2008年第4期

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