采用VLSI工艺公司的工具设计基本单元IC的方法
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1益民.0.4~0.25μm时代的平坦化技术[J].电子与封装,2002(5):55-60.
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2苏舟.SoC系统描述与SystemC[J].电子设计应用,2004(8):62-62.
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3肖金生,孔学东.VLSI工艺可靠性评价方法[J].电子产品可靠性与环境试验,1995,13(3):7-9.
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4沈平.Q2220型直接数字式频率合成器原理与应用[J].军事通信技术,1995,16(4):13-23.
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5柳永勋.三氯乙烷在VLSI工艺中的应用[J].微处理机,1992,13(2):58-62.
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6胡延年.难熔金属及硅化物薄膜特性研究[J].半导体情报,1998,35(1):48-50.
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7刁冬梅,杨银堂,朱樟明.电流源的失配分析及设计研究[J].电子元器件应用,2007,9(2):32-33. 被引量:1
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8徐晨曦,阮刚.适用于VLSI工艺的多功能二维离子注入模拟器FUTIS[J].电子学报,1990,18(6):14-19.
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9徐伟,胡延年.难熔金属及硅化物薄膜制备技术研究[J].天津理工学院学报,1998,14(4):71-73.
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10任丙彦,李养贤.NTDCZSi片在VLSI工艺中IG效应的研究[J].河北工学院学报,1989,18(3):108-112.
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