日本用GaP进行单一光子发生获得成功

日本物质材料研究机构半导体材料中心和日本筑波大学利用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体GaP在结晶时形成的称为等电子陷阱的能级上的电子-空穴对，从各个等电子陷阱发生能量非常一致的单一光子。这在世界尚属首次。