日开发出碳纳米管沿底板水平方向成膜的新技术

爱发科与东京工业大学合作开发出了使碳纳米管（CNT）沿底板水平方向成膜的新技术。利用爱发科制造的CNT成膜等离子CVD装置已经证实，单层（Single Wall）CNT可以在Si底板内同向成膜（参阅本站报道）。这项成果为使用CNT作为通道材料的新一代高性能MOS FET的实现开辟了道路。