期刊文献+

3 GHz CMOS低噪声放大器的优化设计 被引量:1

Optimum Design of 3 GHz CMOS Low Noise Amplifier
下载PDF
导出
摘要 基于0.18μmCMOS工艺,采用共源共栅源极负反馈结构,设计了一种3GHz低噪声放大器电路。从阻抗匹配及噪声优化的角度分析了电路的性能,提出了相应的优化设计方法。仿真结果表明,该放大器具有良好的性能指标,功率增益为23.4dB,反向传输系数为-25.9dB,噪声系数为1.1dB,1dB压缩点为﹣13.05dBm。 A 3 GHz low noise amplifier (LNA) is presented using the cascode topology in 0.18 μm CMOS process. The performance of impedance matching and noise figure of the LNA is analyzed, and then the improving techniques for cascode structure are also developed. The simulation results show that the power gain is 23.4 dB, the reverse transmission coefficient is -25.9 dB, the noise figure is 1.1 dB, and ldB compression is -13.05 dBm.
机构地区 湖南大学
出处 《微计算机信息》 北大核心 2008年第14期285-287,共3页 Control & Automation
基金 湖南省青年骨干教师资助项目(湘教通[2005]247号) 湖南省自然科学基金资助项目(No:05JJ30115)
关键词 低噪声放大器 噪声系数 线性度 CMOS工艺 low noise amplifier noise figure linearity CMOS process
  • 相关文献

参考文献9

  • 1Lee Thomas H. The Design of CMOS Radio-Frequency Integrated Circuits [M ]. Cambridge University Press, 1998.
  • 2ShaefferD K, Lee T H. A 1. 5V, 1. 5 GHz CMOS low noise amplifier. IEEE Journal of Solid2State Circuits, 1997, 32 (5) : 745-759.
  • 3Debono C J, Maloberti F, Micallef J. A 1. 8 GHz CMOS Low noise amplifier. IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems, 2001, 1111-1114.
  • 4Andreani P, H. Sjoland. Noise optimization of an inductively degenerated CMOS low noise amplifier. IEEE Trans Circuits Syst II, 2001, 48 (9) : 835-841.
  • 5王昌林,李东生,张勇.一种射频CMOS低噪声放大器的设计[J].微计算机信息,2006(10Z):117-119. 被引量:4
  • 6Razavi B. Design of Analog CMOS Integrated Circuits. McGraw-Hill Companies, nc. ,2001.
  • 7Soorapanth T, Lee T. H. RF Linearity of Short - Channel MOSFETs [ J ] . IEEE Journal of Solid State Circuits, May 1997 , 32 (5).
  • 8A. Niknijad, R. Meyer. Analysis, Design and Optimization of Spiral Inductors and Transformers for Si RFIC's [J ]. IEEE JSSC, 1998, 33 (10) : 1470-1481.
  • 9毕查德·拉扎维著,陈贵灿等译.模拟CMOS集成电路设计[M].西安交通大学出版社,2003.113-131

二级参考文献4

共引文献4

同被引文献6

  • 1罗静,陶建中.0.5μm CMOS标准单元库建库流程技术研究[J].电子与封装,2006,6(1):23-27. 被引量:5
  • 2罗静.建库流程介绍.电子与封装,2004,(09):12-16.
  • 3邓红辉等译.CMOS集成电路版图-概念、方法与工具[M].北京:电子工业出版社,2006,175-189.
  • 4Cadence.LEF/DEF Language Reference [M]. Production Version 5.4,2004.
  • 5C.Bittlestone.Architecting ASIC Libraries and Flows in Nanometer Era[J].ACM/IEEE Design Automation Conference,2005,6:776-781.
  • 6J. C. Herbert.An Integrated Design and Characterization Enviro nment for the Development of a Standard Cell Library[J],IEEE 2000 CICC.,2004,25 (6): 1-5.

引证文献1

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部