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超细碳化硅表面改性技术进展 被引量:6

PROGRESS IN SURFACE MODIFICATION OF ULTRA FINE SILICON CARBIDE
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摘要 超细碳化硅(SiC)颗粒优异的物理化学性能和广泛的应用领域成为陶瓷颗粒表面改性研究的一个热点。介绍了超细SiC颗粒改性的目的和机理,从物理改性、化学改性两个方面对改性方法及研究进展情况进行了总结,并在此基础上指出了超细SiC颗粒的表面改性面临的主要问题。 Ultra fine silicon carbide has become an important aspect in the surface modification of ceramic particles because of excellent physical and chemical performances as well as broad application. In this paper, the aim and mechanism of ultra fine silicon carbide modification were introduced. Methods and research progress were summarized in terms of physical and chemical modification. What's more, major problems in ultra fine silicon carbide modification were presented.
出处 《中国陶瓷工业》 CAS 2008年第2期10-12,21,共4页 China Ceramic Industry
关键词 碳化硅 表面改性 包覆 接枝改性 silicon carbide, surface modification, coating, graft modification
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