用准分子激光光刻的下一代集成电路
出处
《激光与光电子学进展》
CSCD
1997年第12期29-31,共3页
Laser & Optoelectronics Progress
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1田文彦,曾传湘,潘大任,周业为.准分子激光光刻的发展状况[J].激光杂志,1992,13(3):113-116.
-
2尚淑珍,易葵,邵建达,范正修.光刻机系统中193nm薄膜的研究进展[J].激光与光电子学进展,2006,43(1):11-14. 被引量：2
-
3冯伯儒,张锦,侯德胜,陈芬.微光刻技术的发展[J].微细加工技术,2000(1):1-9. 被引量：10
-
4田文彦,曾传相,潘大任,谢辉,周业为,谢健.准分子激光光刻AZ1350SF正胶的实验研究[J].四川大学学报（自然科学版）,1992,29(4):568-571.
-
5陈兴俊,胡松,姚汉民,刘业异.0.1μm线宽主流光刻设备—193nm(ArF)准分子激光光刻[J].电子工业专用设备,2002,31(1):27-31. 被引量：3
-
6王之江.尽快开展极紫外光刻技术研究[J].科学新闻,2002,0(21):14-14.
-
7高斐,赵江山,王倩,刘广义,白路军,周翊,孟庆宾.光刻用准分子激光器中心波长在线测量研究[J].光电子．激光,2016,27(7):699-703. 被引量：1
-
8制版、光刻、腐蚀与掩模工艺[J].电子科技文摘,2002,0(7):35-35.
-
9余吟山,游利兵,梁勖,方晓东.准分子激光技术发展(邀请论文)[J].中国激光,2010,37(9):2253-2270. 被引量：59
-
10赵永凯,黄惠杰,路敦武,杜龙龙,杨良民,袁才来,蒋宝财,王润文.接近式光刻中斜照明改善分辨率的模拟与分析[J].微细加工技术,2001(2):9-13. 被引量：4
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