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同步辐射x射线光刻实验研究
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1
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摘要
采用侧墙工艺技术研制深亚微米x射线掩模,并在北京同步辐射装置光刻束线上进行了同步辐射x射线曝光实验。
作者
谢常青
陈梦真
赵玲莉
孙宝银
韩敬东
朱樟震
张菊芳
机构地区
中国科学院微电子中心
中国科学院高能所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第6期45-46,共2页
Semiconductor Technology
基金
攀登计划PD930307资助项目
关键词
同步辐射
X射线光刻
X射线掩模
侧墙工艺
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
O434.1 [机械工程—光学工程]
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余山,章定康,黄敞.
侧墙工艺研究及其在集成电路中的应用[J]
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谢常青,叶甜春,陈梦真.
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徐晓峰,李雅洁.
X射线光刻技术的现状[J]
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崔明启,刘丽冰,徐文轩,唐鄂生,吴坚武,王培玮,尹福廷,陈光辉.
北京同步辐射装置X光光刻束线监测系统[J]
.核电子学与探测技术,1992,12(6):337-343.
半导体技术
1997年 第6期
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