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同步辐射x射线光刻实验研究 被引量:1

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摘要 采用侧墙工艺技术研制深亚微米x射线掩模,并在北京同步辐射装置光刻束线上进行了同步辐射x射线曝光实验。
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第6期45-46,共2页 Semiconductor Technology
基金 攀登计划PD930307资助项目
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