用KrF准分子激光移相光刻研制深亚微米栅长InP/In_(0.75)Ga_(0.25)As/InPHEMT

设计了一种新的ＩｎＰ／Ｉｎ０．７５Ｇａ０．２５Ａｓ／ＩｎＰ器件结构，其特点在于采用ＩｎＰ衬底，高ｘ值的ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ沟道，选用ＩｎＰ作为势垒层，从而避免了用含Ａｌ势垒层有可能引起的ＤＸ中心对器件性能的不利影响。在器件工艺实验方面，提出将ＫｒＦ准分子激光无铬移相光刻应用于栅图形加工、设计，组装了一套实验系统，可重复可靠地得到剖面陡直的０．３～０．３５μｍ胶阴线条，这一工艺技术完全与现有器件工艺技术兼容。