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影响液封直拉法生长GaAs单晶锭长的因素
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1
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摘要
研究了影响LEC(液封直拉法)生长GaAs单晶锭长的因素。发现,LEC系统中热场分布、热对流。
作者
谢自力
夏德谦
陈宏毅
朱志明
机构地区
南京电子器件研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第6期51-54,50,共5页
Semiconductor Technology
关键词
液封直拉
热场分布
砷化镓
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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半导体技术
1997年 第6期
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