期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
影响液封直拉法生长GaAs单晶锭长的因素
被引量：
1
下载PDF
职称材料
导出
摘要
研究了影响ＬＥＣ（液封直拉法）生长ＧａＡｓ单晶锭长的因素。发现，ＬＥＣ系统中热场分布、热对流。
作者
谢自力
夏德谦
陈宏毅
朱志明
机构地区
南京电子器件研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第6期51-54,50,共5页
Semiconductor Technology
关键词
液封直拉
热场分布
砷化镓
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
0
参考文献
2
共引文献
7
同被引文献
0
引证文献
1
二级引证文献
0
参考文献
2
1
谢自力,夏德谦,陈宏毅,朱志明.
应用改进的热场生长低位错SI-CaAs单晶[J]
.固体电子学研究与进展,1992,12(3):261-264.
被引量：4
2
夏德谦,陈宏毅.
半绝缘GaAs单晶的研制[J]
.固体电子学研究与进展,1987,8(1):78-83.
被引量：7
共引文献
7
1
谢自力,夏德谦,陈宏毅,朱志明.
组分对SI-GaAs单晶特性的影响[J]
.微细加工技术,1993(4):40-43.
被引量：1
2
谢自力.
轻掺铬半绝缘砷化镓单晶中位错密度和薄层电阻[J]
.半导体技术,1994,10(3):37-39.
3
谢自力,夏德谦,陈宏毅,朱志明,朱顺才,陈小兵.
半绝缘GaAs单晶的热稳定性研究[J]
.半导体技术,1994,10(6):49-51.
4
谢自力.
掺InGaAs晶体中的EL2缺陷及其热处理[J]
.半导体技术,1999,24(3):38-40.
被引量：1
5
谢自力,夏德谦,陈宏毅,朱志明.
降低SI-GaAs单晶中碳含量的实验研究[J]
.固体电子学研究与进展,1991,11(4):341-346.
被引量：1
6
谢自力,陈宏毅,朱顺才,夏德谦.
半绝缘砷化镓中碳含量对热稳定性的影响[J]
.固体电子学研究与进展,1992,12(1):34-37.
被引量：2
7
谢自力,陈宏毅,陈小兵.
半绝缘砷化镓单晶的整锭热退火[J]
.半导体技术,1993,9(4):54-56.
被引量：1
引证文献
1
1
谢自力,夏德谦,陈宏毅,朱志明.
通过温度压力控制LEC-GaAs单晶化学配比的实验研究[J]
.半导体杂志,1997,22(3):4-8.
1
赵友文.
磷化铟晶体生长技术的现状及其发展趋势[J]
.半导体情报,1994,31(2):8-16.
被引量：2
2
谢自力.
LEC法生长SI—GaAs单晶时C的沾污和降低[J]
.半导体杂志,1993,18(1):8-13.
3
徐玉忠,杨连生.
LEC法生长2时{100}低位错GaAs单晶[J]
.半导体杂志,1990,15(2):9-11.
4
我国砷化镓单晶生长技术取得国际领先水平[J]
.半导体技术,2006,31(5):392-392.
5
刘志国,杨瑞霞,杨帆,王阳,王书杰,孙同年,孙聂枫.
富磷InP单晶中气孔的形成及其结构研究[J]
.半导体技术,2013,38(12):934-937.
被引量：1
6
魏建伟.
1332MD型络筒机两种故障的排除[J]
.棉纺织技术,2005,33(7):25-25.
7
于凯,李璐杰,程红娟,张颖武.
LEC-GaSb单晶生长技术研究[J]
.压电与声光,2016,38(5):787-790.
被引量：1
8
崔玉成.
LEC法生长砷化铟单晶[J]
.稀有金属,1996,20(3):239-240.
被引量：2
9
莫培根,范向群,周炎德,吴巨.
改进的低压LEC法生长半绝缘GaAs单晶[J]
.固体电子学研究与进展,1990,10(1):94-100.
10
韩应宽,杨瑞霞,孙聂枫,王书杰,王阳,李晓岚,孙同年.
富铟熔体生长InP单晶的晶体缺陷及物理特性[J]
.半导体技术,2016,41(12):939-944.
被引量：2
半导体技术
1997年 第6期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
