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直接键合硅片在双极功率器件中的应用
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摘要
介绍了利用硅片直接键合（ＳＤＢ）技术代替三重扩散，生产ＤＫ５５双极功率器件。实验说明，ＳＤＢ片代替三重扩散无需长时间高温扩散，由于衬底材料质量好，器件特性得到提高，工艺过程中碎片率减少。
作者
茅盘松
机构地区
东南大学微电子中心
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第6期55-57,共3页
Semiconductor Technology
关键词
直接键合
三重扩散
功率器件
硅片
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
TN303 [电子电信—物理电子学]
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童勤义,徐晓莉.
硅片直接键合机理研究[J]
.应用科学学报,1990,8(4):303-308.
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梁鹿亭，半导体器件表面钝化技术，1979年
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茅盘松.
硅片直接键合技术在双极功率器件中的应用[J]
.电子器件,1995,18(2):86-89.
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林晓辉,廖广兰,史铁林,聂磊.
硅片低温键合湿化学法表面活化工艺研究[J]
.传感技术学报,2006,19(05A):1384-1387.
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基于UV光照的圆片直接键合技术[J]
.Journal of Semiconductors,2008,29(7):1369-1372.
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羊庆玲,冯建.
适合于VDMOSFET的硅片直接键合技术[J]
.微电子学,2004,34(2):215-216.
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茅盘松.
硅片直接键合技术在双极功率器件中的应用[J]
.电子器件,1995,18(2):86-89.
2
李如春,陈去非,陈启秀.
生产IGBT的一种工艺──三重扩散[J]
.固体电子学研究与进展,1996,16(1):75-79.
被引量：1
3
徐志平.
用平面三重扩散工艺设计3DD200晶体管[J]
.红讯半导体,1990(1):5-9.
4
郭林,曾莉.
高速自隔离三重扩散技术研究[J]
.微电子学,1992,22(2):49-51.
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陈去非,陈珂,陈启秀.
一种新型的双极功率器件—BST[J]
.固体电子学研究与进展,1995,15(2):149-156.
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陈去非,陈珂,陈启秀.
一种高频高压双极性功率器件的研究[J]
.半导体杂志,1994,19(4):23-27.
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Bali.,BJ,陈力才.
MOS耗尽型晶闸管—一种新型MOS控制的双极功率器件[J]
.国外电力电子技术,1990(2):1-3.
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蔡跃明,吕世骥,孙国梁.
硅片直接键合技术的氧等离子体表面处理[J]
.微电子学与计算机,1990,7(6):46-48.
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崔骊,李平.
三重扩散IGBT的参数优化[J]
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詹娟.
直接键合硅片的亲水处理[J]
.半导体技术,1994,10(6):54-56.
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半导体技术
1997年 第6期
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