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外腔式半导体激光器的输出光谱 被引量:1

Output Spectrum of External Cavity Type Semiconductor Laser
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摘要 用射线法导出了两段式激光器的输出谱公式,分析了外腔式半导体激光器(ECLD)的输出光谱,计算了ECLD被调二极管模式的不同波长处振荡时的阈值,获得了ECLD模式的波长表达式。 The expression of the output spectrum of the two segment type semiconductor laser is derived with ray trace method.The output spectrum of the external cavity type semiconductor laser is analyzed.The oscillating threshold at different wavelengths of the tuned diode mode is calculated.The wavelength expression of ECLD is obtained.The influence of wavelength property of diode reflectivity near the grating surface on the output is discussed.
出处 《光电工程》 EI CAS CSCD 1997年第6期67-72,共6页 Opto-Electronic Engineering
关键词 半导体激光器 输出光谱 射线分析 波长 Semiconductor lasers,Output spectrum,Ray analysis,Wavelength.
  • 相关文献

参考文献6

  • 1Xia G,Appl Opt,1995年,34卷,9期,1523页
  • 2Wu Z,Opt Lett,1995年,20卷,5期,477页
  • 3Sun H,Appl Opt,1994年,33卷,21期,4771页
  • 4Xia G,Opt Lett,1994年,19卷,10期,731页
  • 5Luo B,IEEE Photon Technol Lett,1993年,5卷,10期,1279页
  • 6陈建国,IEEE Photon Technol Lett,1993年,5卷,10期,1174页

同被引文献10

引证文献1

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