Sematech召开论坛讨论下一代光刻技术设备成本将达4000万美元

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摘要据EETimes报道：Sematech正计划于2008年5月12～14日召开为期3天的光刻论坛，讨论32nm向22nm转变时该选择何种技术。Sematech表示，这次会议旨在汇集业界的观点，并希望能在下一代光刻技术方面达成一致。该会议将对外开放，预定在Lake George，New York举行。

出处《电子工业专用设备》 2008年第5期49-49,共1页 Equipment for Electronic Products Manufacturing

关键词下一代光刻技术设备成本论坛美元对外开放 NEW 会议

分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学] F827.12 [经济管理—财政学]

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1马琳.SEMATECH联合体的21世纪高超目标[J].电子材料（机电部）,1992(9):8-9.
2David Lammers.在(110)单晶硅上获得高性能nFET[J].集成电路应用,2008(4):24-24.
3陈裕权.Sematech研究用Ge和SiGe作硅MOSFET沟道[J].半导体信息,2006,0(5):31-31.
4David Lammers.Sematech在VLSI会议上报告最新进展[J].集成电路应用,2008(9):30-30.
5TSMC将与SEMATECH合作20nm及更先进工艺[J].中国集成电路,2011,20(6):14-15.
6国际新闻[J].集成电路应用,2008,25(9):24-24.
7刘加峰,胡存刚,宗仁鹤.光刻技术在微电子设备的应用及发展[J].光电子技术与信息,2004,17(1):24-27. 被引量：5
8Sematech在EUV技术上实现突破实现22nm半节点分辨率[J].电子工业专用设备,2008,37(8):62-62.
9亚森.线条感强烈通透自然--Cardas Clear Beyond Power电源线[J].视听前线,2012(10):28-29.
10约翰·迪克斯,裴乐(编译).华盛顿岛上的业余无线电寻宝之旅[J].电子制作,2014(4):21-23.

电子工业专用设备

2008年第5期

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