摘要
文章介绍了采用不含加速剂的直流电镀方案来实现通孔填孔技术,并提出通孔填孔的可能电化学机理。
The paper describes that achieves through hole filling by accelerator-free formulas in DC plating.A possible electrochemical mechanism for through hole filling is proposed in the paper.
出处
《印制电路信息》
2007年第6期36-39,共4页
Printed Circuit Information
关键词
系统封装
通孔填孔
强抑制剂
含加速剂方案
无加速剂方案
依赖电位吸附
依赖迁移吸附
system in package（SIP）
through hole filling
strong inhibitor
accelerator-containing formulas （ACF）
accelerator-free formulas（AFF）
potential-dependent adsorption（PDA）
convection-dependent adsorption （CDA）
