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第三代逆向导通IGBT采用软开关拓扑结构
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摘要
英飞凌(1nfineon)公司在功率半导体市场一直致力于高效节能的功率器件开发,在全球工业IGBT模块总量中占有21.4%的市场份额,位居第二位。前不久,该公司推出了在第三代逆向导通IGBT(绝缘栅双极晶体管)(RC3)采用软开关的应用。
出处
《电子设计技术 EDN CHINA》
2008年第5期17-17,共1页
EDN CHINA
关键词
IGBT模块
软开关
第三代
拓扑结构
导通
逆向
绝缘栅双极晶体管
功率器件
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
TN624 [电子电信—电路与系统]
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电子设计技术 EDN CHINA
2008年 第5期
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