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一种带输出缓冲的低温度系数带隙基准电路 被引量：6

A Low Temperature Coefficient Bandgap Voltage Reference with Output Buffer
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摘要 基于TSMC0.18μm标准CMOS标准工艺，提出了一种低温度系数，宽温度范围的带隙基准电压电路，该电路具有高电源抑制比，启动快及宽电源电压工作区域的优点，由于具备输出缓冲，可提供较低的输出阻抗及较高的电流负载能力。电路在-40℃到＋110℃的温度变化范围内，基准电压为2.3020V±0.0015V，温度系数仅为7.25×10^-6/℃（-40℃到＋110℃时），PSRR为64dB（11kHz处），电源电压变化范围为1.6-4.3V，输出噪声为5.018μV/√Hz（1kHz处）。 A high performance bandgap voltage reference is proposed, with low temperature coefficient, wide operation temperature range and an output buffer. The prototype is implemented in TSMC 0. 18 μm standard CMOS technology. The simulation results for this circuit show that the average temperature coefficient is about 7.25×10^-6/℃ and the output reference voltage is 2. 302 0 V±0. 001 5 V over the -40℃ to ＋110℃temperature range. The PSRR of this circuit is 64 dB at 11 kHz, and the power supply varies from 1.6 V to 4. 3 V. The output noise is 5. 018 at 1 kHz.
作者 陈磊 李萌 张润曦 赖宗声 俞建国
机构地区 华东师范大学微电子电路与系统研究所
出处 《电子器件》 CAS 2008年第3期820-823,共4页 Chinese Journal of Electron Devices
基金 上海市科委资助(06SA14) 江苏省专用集成电路设计重点实验室项目资助(JSICK0601)
关键词 带隙基准 低温度系数 PTAT电路 电源抑制比 压控振荡器 bandgap reference low temperature coefficient PTAT PSRR VCO
分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
  • 相关文献

参考文献8

  • 1Michejda John,Kim Suk K.A Precision CMOS Bandgap Reference[J].IEEE J.Solid-State Circuits,Dec.1994,sc-19(6):1014-1021.
  • 2马建斌,金湘亮,计峰,陈杰.一种1.8V24×10^(-6)/℃宽温度范围CMOS带隙基准电压源(英文)[J].电子器件,2006,29(3):697-700. 被引量：1
  • 3Xue Liang.Study on 10 bit High-Speed Pipelined Analog-Dig-ital Converter[D].Master Thesis,Tsinghua University,Beijing,2004.
  • 4Tham Khong-Meng,Nagaraj Krishnaswamy.A Low Supply Voltage,High PSRR Voltage Reference in CMOS Process[J].IEEE J.Solid-State Circuits,Dec_ 1995,30,(5):586-590.
  • 5Dai Yihong.Precision References for Mixed-Signal Integrated Circuits[D'].PhD.Thesis,Brigham Young University,2003.
  • 6William Timothy Hohnan.A low noise CMOS voltage reference[D].PhD.Thesis,Georgia Institute of Technology,1994.
  • 7Razavi K Design of Analog CMOS Integrated Circuits[M],McGraw-Hill,2001.
  • 8Allen P E,Holberg D R.CMOS Analog Circuits Design,Second Edition[M].Oxford University Press,New York,2002.

二级参考文献8

  • 1Razavi B.Design of Analog CMOS Integrated Circuits[M].McGraw-Hill,2001.
  • 2Hironori Banba,Hitoshi Shiga,Akira Umezawa,Takeshi Miyaba,Toru Tanzawa,Shigeru Atsumi,and Koji Sakui.A CMOS Bandgap Reference Circuit with Sub-1-V Operation[J].IEEE J Solid-State Circuits,May 1999,34(5).
  • 3Buck Arne E,McDonald Charles L,Lewis Stephen H.and Viswanathan TR.A CMOS Bandgap Reference Without Resisrors[J].IEEE J.Solid-State Circuits,January 2002,37,(1).
  • 4Annema AJ.Low-Power Bandgap Reference Featuring DTMOSTs[J].IEEE J Solid-State Circuits,July 1999,341949-955.
  • 5Giustolisi G,Palumbo G,Criscione M,and Cutri F.A Low-Voltage Low-Power Voltage Reference Based on Subthreshold MOSFETs[J].IEEE,J Solid-State Circuits,January 2003,38(1).
  • 6Dai Y,Comer DT,Comer DJ.and Petrie CS.Threshold Voltage Based CMOS Voltage Reference[J].IEE Proc-Circuits Devices Syst,February 2004,151(1).
  • 7Tzanateas G,Salma CAT,and Tsividis YP.A CMOS Bandgap Voltage Reference[J] IEEE J of Solid-State Circuits,June 1979,SC-14(3)
  • 8Baker RJ,Li HW,Boyce DE.CMOS Circuit Design,Layout and Simulation[M].1998.

同被引文献53

引证文献6

二级引证文献20

电子器件
2008年 第3期

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