期刊文献+

DC磁控溅射沉积WO_3电致变色薄膜

WO_3 Electrochromic Thin Film Deposited by DC Magnetron Sputtering
下载PDF
导出
摘要 采用直流磁控反应溅射工艺制备了WO_3薄膜,在初始状态和注入Li离子后的平均透射率分别为83%和6%,变化接近77%,表明该WO_3薄膜样品具有很好的电致变色性能。根据薄膜的透射率和反射率分别计算了WO_3薄膜的光学带隙:非晶WO_3薄膜的带隙为3.31eV,多晶WO_3薄膜的带隙为3.22eV。 WO3 thin films are prepared by DC magnetron sputtering technique. The transimittances of the thin films under the extraction or injection of Li+ ions are 83% and 6% respectively. It shows the WO3 thin films have a good characterization of eleetroehromism. The optical band gap is calculated via the refleetivity and transmittance of thin films: the amorphous WO3 thin films band gap is 3.31eV,and the polyerystalline WO3 thin films band gap is 3. 22 eV.
出处 《材料导报(纳米与新材料专辑)》 EI 2008年第1期318-320,共3页
基金 表面工程技术国家级重点实验室基金项目(9140C5403010704)
关键词 DC磁控溅射 WO3 电致变色 薄膜 光学带隙 DC magnetron sputtering, WOs, electrochromism, thin film, optical band gap
  • 相关文献

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部