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MOCVD实现InGaAsP波导对接生长的研究

Studies on the Butt-Joint of a InGaAsP-Waveguide Realized with Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
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摘要 采用低压MOCVD技术,通过对接界面和对接工艺的优化,获得了高质量的InGaAsP材料构成的对接波导,测量得到的对接波导光学损耗为7cm-1,说明该技术可以用来制作高质量的光电子集成器件. An InGaAsP waveguide is integrated laterally to MQW using LP-MOCVD butt-joint technology. High quality for the regrowth interface and material is achieved. The loss of the butt-jointed waveguide is 7cm^-1. This demonstrates the applicability of butt-joint technology in fabricating high quality future photonic integrated circuits.
作者 张瑞康 董雷 余永林 王定理 张靖 陈磊 江山
机构地区 武汉光迅科技股份有限公司 华中科学技术大学武汉国家光电实验室
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1177-1179,共3页 半导体学报（英文版）
基金 国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03Z427) 国家重点基础研究发展规划(批准号:2003CB314903) 国家自然科学基金(批准号:60677024)资助项目~~
关键词 MOCVD 对接生长 波导 MOCVD butt-joint growth waveguide
分类号 TN304.05 [电子电信—物理电子学]
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参考文献9

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Journal of Semiconductors
2008年 第6期

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