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有机溶剂诱导的多孔硅光致发光猝灭机理 被引量:1

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摘要 1990年多孔硅室温可见光发射的报道引起了科技界的极大关注.现已形成了一个对硅材料研究很活跃的领域.目前的研究焦点主要集中在以下几方面:(1)发光机理的探讨;(2)改善发光的稳定性,提高发光的量子产率及制备各色光的多孔硅量子线阵列;(3)研制多孔硅光电器件;(4)发光的化学碎灭特性及其应用的研究. 我们研究了三类有机溶剂对多孔硅光致发光的猝灭作用。烷烃不猝灭发光(包括环己烷、正庚烷和溴乙烷等),而且还有很弱的增敏作用.但苯具有弱的猝灭效应.气相浓度(以氮气作稀释气体)为 1.9 × 10^(-3) mol/L时,猝灭了发光强度的15%,猝灭过程光谱没有蓝移或红移.含氧有机溶剂,包括甲醇、乙醇、四氢呋喃、二氧六环、环氧氯丙烷、乙醚、苯甲醚、乙酸乙酯、乙酸甲酯、丙酮和丁酮等。
出处 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第19期2123-2124,共2页 Chinese Science Bulletin
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参考文献2

二级参考文献8

  • 1李经建,刁鹏,蔡生民,侯永田,王昕,张树霖.化学氧化对多孔硅表面态和光致发光的影响[J].物理化学学报,1994,10(8):737-740. 被引量:5
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  • 6Tsai C,Appl Phys Lett,1992年,60卷,1700页
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共引文献7

同被引文献1

引证文献1

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