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英飞凌推出具最低通态电阻无铅封装MOSFET

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摘要英飞凌科技公司（FSE／NYSE：IFX）近日在中国国际电源展览会上宣布推出采用Super—S08和S308（ShrinkSuperS08）封装的40V、60V和80VOptiMOS3N沟道MOSFET．在这些击穿电压下可提供无铅封装形式下的全球最低通态电阻。

作者向赞飞

出处《电动自行车》 2008年第6期43-43,46,共2页 Electric Bicycle

关键词 MOSFET 英飞凌 OPTIMOS 3系列通态电阻无铅封装

分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学] TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]

引文网络
相关文献

1英飞凌推出具全球最低通态电阻、采用SSO8无铅封装的全新OptiMOS3系列可使工业、消费类和电信应用的功率密度提高50%[J].电源世界,2008(6):17-17.
2英飞凌连续推出两款MOSFET新产品[J].电源世界,2009(7):16-16.
3英飞凌推出全新OptiMOS 3系列,可使工业、消费类和电信应用的功率密度提高50%[J].电子与电脑,2008,8(6):65-65.
4英飞凌宣布推出OptiMOS^TM375VMOSFET[J].电子元器件应用,2009,11(9).
5英飞凌宣布推出OptiMOS^TM3 75V MOSFET系列[J].半导体技术,2009,34(7):721-722.
6陆楠.低通态电阻MOSFET功率密度提高50%[J].电子设计技术 EDN CHINA,2008(7):34-34.
7英飞凌推出全球最低通态电阻OptiMOS 3系列[J].家电科技,2008(13):50-50.
8郑畅.e络盟进一步扩充英飞凌CoolMOS^(TM)与OptiMOS^(TM)系列功率MOSFET,支持亚太区电子产品设计[J].半导体信息,2015(1):3-4.
9英飞凌锁定能效,通信与安全三大领域深耕[J].电子与电脑,2010,10(1):36-37.
10OptiMOS^(TM) 300V提高硬开关应用的效率,支持新型设计[J].电子设计工程,2015,23(12):77-77.

电动自行车

2008年第6期

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