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宽禁带氮化物面发射半导体激光器研究获重大突破
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摘要
863计划新材料领域“蓝绿色垂直腔面发射半导体激光器”课题近日取得重大突破,在我国(除台湾地区外)首次实现了室温光泵条件下氮化物面发射激光器(VCSEL)的受激发射,所得器件重要性能指标超过了国际报道的最好水平。这标志着我国氮化物面发射激光器研究已进入世界先进行列。
出处
《纳米科技》
2008年第3期34-34,共1页
关键词
面发射半导体激光器
氮化物
宽禁带
面发射激光器
新材料领域
863计划
受激发射
台湾地区
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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