欧洲首次在200mm硅晶圆上生长出高质量的AIGaN／GaN异质结构

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摘要欧洲独立纳米电子研究中心IMEC与MOCVD设备供应商AIXTRON公司日前宣布，首次在200mm硅晶圆上成功生长出高质量高均匀性的AlGaN／GaN异质结构。 A1GaN／GaN异质结构在AIXTRON应用实验室中的300mm CRIUS MOCVD设备中生长得到，

出处《光机电信息》 2008年第6期63-63,共1页 OME Information

关键词 AlGaN/GaN异质结构 AIGAN/GAN 硅晶圆生长质量欧洲 MOCVD设备设备供应商

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2008年第6期

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