用于0.25μm线宽设计规则的光刻设备——PAS5500／300
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1童志义.国外光刻设备市场概况及发展趋势(续)[J].半导体技术,1991,7(4):18-21. 被引量：1
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2童志义.国外光刻设备市场概况及发展趋势[J].半导体技术,1991,7(3):54-64. 被引量：2
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3DeJule,R,葛劢冲.下代光刻设备的再次选择[J].电子工业专用设备,1999,28(2):60-64.
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4姚汉民,黄泽永,谢传钵,陈旭南.从SEMICON/WEST′91看当今光刻设备的发展(出国参观考察报告)[J].光电工程,1992,19(3):52-64.
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5翁寿松.摩尔定律与半导体设备[J].电子工业专用设备,2002,31(4):196-199. 被引量：14
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6李伟权.电子产品中的ESD防护[J].新校园（上旬刊）,2013(6):52-52.
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7东立.混合信号系统中的模拟设计规则[J].微电子学,1997,27(1):71-72.
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8敖明盛.一种基于0.25μm CMOS工艺的锁相环电路设计[J].中国集成电路,2007,16(2):44-48. 被引量：1
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9翁寿松.φ300mm/0.18μm的光刻工艺及设备[J].电子工业专用设备,1999,28(1):1-5. 被引量：2
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10蔡积庆（编译）.SiP/PoP积层板[J].印制电路信息,2007(6):32-35. 被引量：1
