采用SACVD改善器件电学性能

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摘要采用臭氧/正硅酸乙酯(O3/TEOS)基前驱物,通过次大气压化学气相沉积(SACVD)在深宽比高于8:1的STI和深宽比高于6:1的PMD应用中展现了优异的填充性能,并提高了器件的驱动电流,改善了PN结漏电。此外,在器件沟道区施加局部应力的方法也得到了证实。

作者 Cary Ching Harry Whitesell Shankar Venkataraman

机构地区 Applied Materials Inc.

出处《集成电路应用》 2008年第6期26-29,共4页 Application of IC

关键词电学性能器件化学气相沉积填充性能驱动电流局部应力深宽比前驱物

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集成电路应用

2008年第6期

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