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IDT7164 在 ^(40)Ar 束流中的单粒子效应 被引量：1

MEASUREMENT OF IDT7164 SINGLE EVENT UPSET(SEU) IN ARGON BEAMS OF 25 MeV/u
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摘要 在氩束流中，测试了ＩＤＴ７１６４芯片的单粒子事件翻转效应，记录了不同程序运行中的实验结果，由此计算了芯片的截面。 The measurement of IDT7164 SEU in Argon beams of 25 MeV/u was made.The result of experiment in different programs are recorded.The cross section of the chip is calculated.
作者 王丽君 孙辉先 陈小敏 汪大星 候明东 马峰 刘杰
机构地区 中国科学院空间科学与应用研究中心 中国科学院近代物理研究所
出处 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期264-266,共3页 Atomic Energy Science and Technology
关键词 加速器 单粒子事件 芯片 截面 集成电路 航天器 Cyclotron Single event upset IDT7164 Cross section
分类号 TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学] V443 [航空宇航科学与技术—飞行器设计]
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引证文献1

二级引证文献10

原子能科学技术
1997年 第3期

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