准静态C-V测量中的工频噪声滤除新方法

下载PDF

导出

摘要准静态Ｃ—Ｖ测量中的工频噪声滤除新方法＊李同合陈光遂高捷（西安交通大学微电子工程系西安７１００４９）０引言半导体界面陷阱密度Ｄｉｔ是表征Ｓｉ－ＳｉＯ２界面性质的一个重要参数，该参数对半导体器件，特别是对ＭＯＳ晶体管特性及稳定性有着重要影响。精确地测量...

作者李同合陈光遂高捷

机构地区西安交通大学微电子工程系

出处《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期514-517,共4页 Chinese Journal of Scientific Instrument

关键词准静态 C-V测量半导体 ATF 界面陷阱密度测量

参考文献1

1罗江财.硅结构中载流子浓度纵向分布的自动测量[J].微电子学,1989,19(3):12-15.
2罗江财.化合物半导体的电化学C—V载流子浓度剖面分布[J].半导体杂志,1989,14(4):6-10.
3郭康瑾,杜根娣,吴征.InP上Al膜的阳极氧化及其特性研究[J].电子科学学刊,1991,13(6):611-617.
4邵丙铣.金属/Ⅲ-Ⅴ族半导体界面费米能级的位移[J].电子学报,1991,19(1):50-54.
5刘昶时,武光明,陈萦,刘芬,赵汝权.Si-SiO_2及其在电离辐照下的等离激元[J].核技术,1997,20(2):91-94. 被引量：1
6宋钦岐.电离辐照与界面态[J].微电子学与计算机,1989,6(12):11-15. 被引量：3
7刘昶时,吾勤之,张玲珊.电离辐照Si-SiO_2的电子能谱深度剖析[J].核技术,1990,13(10):589-593. 被引量：5
8谢剑钧,张涛.金属层厚对金属—半导体界面性质的影响[J].河南师范大学学报（自然科学版）,1992,20(4):52-57.
9刘可辛,罗升旭,郑中山,王继春,王子建.MOS结构准静态测试中的异常C-V曲线[J].微电子学,1989,19(3):16-18.
10Rajab Yahyazadeh,Zahra Hashempour,Manouchehr Kalafi,Mohammad Reza Aboulhasani.An analytical model for the cut off frequency and noise of AIGaN/GaN high electron mobility transistor （HEMTs）[J].材料科学与工程（中英文版）,2009,3(12):22-25.

仪器仪表学报

1997年第5期

内容加载中请稍等...