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美研制出能存储三位数值的纳米线存储器

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摘要传统存储器件仅能存储“0”、“1”两位值，而美国宾夕法尼亚大学研究人员研制的一种以纳米线为基础的新型信息存储器件却能存储“0”、“1”和“2”3位数值。这一创造可能催生新一代高性能信息存储器。相关研究发表在近日《纳米快报》在线版上。

出处《新材料产业》 2008年第8期87-87,共1页 Advanced Materials Industry

关键词存储器件纳米线数值美国宾夕法尼亚大学信息存储器研究人员

分类号 TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]

引文网络
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新材料产业

2008年第8期

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