期刊文献⁺

任意字段

题名或关键词

题名

关键词

文摘

作者

第一作者

机构

刊名

分类号

参考文献

作者简介

基金资助

栏目信息

Vishay 推出小面积新型20 V P道TrenchFET功率MOSFET

下载PDF

导出

摘要 Vishay Intertechnology，Inc．推出新型20 V P道TrenchFET功率MOSFET——vishay Siliconix Si8445DB。该器件采用MICRO FOOT芯片级封装，具有小面积以及1．2V时极低的导通电阻。

出处《单片机与嵌入式系统应用》 2008年第8期88-88,共1页 Microcontrollers & Embedded Systems

关键词功率MOSFET 面积芯片级封装导通电阻 INC 器件

分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学] TN405.94 [电子电信—微电子学与固体电子学]

引文网络
相关文献

1Vishay推出新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET[J].电子与电脑,2008,8(7):67-67.
2Vishay推出最小占位面积的新型20VP通道TrenchFET功率MOSFET[J].电子元器件应用,2008,10(8):84-84.
3采用芯片级MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET[J].电子设计工程,2010,18(5):154-154.
4Vishay推出采用业内最小芯片级MICRO FOOT~封装的新款Vishay Siliconix功率MOSFET[J].电子设计工程,2012,20(24):180-180.
5Vishay SiliconiX推出业内导通电阻最低的MOSFET器件[J].中国集成电路,2010,19(12):10-10.
6SiP12108：同步降压稳压器[J].世界电子元器件,2014(2):29-29.
7Vishay Siliconix新型同步降压控制器IC可处理10A的电流[J].集成电路应用,2006,23(1):17-17.
8Vishay Siliconix推出新品,扩充PowerPAIR双芯片不对称功率MOSFET家族[J].电子设计工程,2011,19(23):91-91.
9Vishay Siliconix推出新型TrenchFET功率MOSFET[J].电子世界,2009(2):4-4.
10Si7157DP：P沟道MOSFET[J].世界电子元器件,2014(3):29-29.

单片机与嵌入式系统应用

2008年第8期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...

;

使用帮助返回顶部