硅微压电超声换能器

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摘要本实用新型提供一种硅微压电超声换能器，包括具有硅杯结构的硅基片，位于该硅基片上的支撑层以及位于支撑层上的N个压电换能单元；其特征在于，所述硅基片的硅杯结构上部具有选择性掺杂层，该选择性掺杂层上具有N个与所述压电换能单元相对应的通孔。与现有技术相比，本实用新型能否达到以下技术效果：本实用新型可以用常规的体硅刻蚀工艺实现密排阵元的薄膜压电换能器阵列，

出处《有机硅氟资讯》 2008年第7期30-30,共1页 Silicone and Fluorine Information

关键词压电超声换能器硅基片实用新型压电换能技术效果换能器阵列刻蚀工艺结构

分类号 TN811.02 [电子电信—信息与通信工程] TB552 [理学—声学]

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