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IBM联盟研制32nm高k/金属栅SRAM

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摘要 mM公司已研制出32nm高k/金属栅SRAM样品,并计划与它在Fishkill的联合伙伴在2009年下半年将高k/金属栅引入32nm工艺,设计团队已完全投入该工艺的设计。32nm项目组最近成功地研制出1.5MB阵列,其管芯尺寸小于0.15μm2,为45nm工艺代管芯的一半。因为利用了高k(电介质),改进了其可变性。随着栅电介质越来越薄,漏电流和可变性问题日益突出,而使用“高k”就不必耽心此工艺代的可变性问题。
出处 《现代材料动态》 2008年第8期13-14,共2页 Information of Advanced Materials
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