IMEC报道在高k／金属栅方面的进展

在国际电子器件会议（正DM）上，比利时的肌EC公司报道了其在改进平面CMOS性能方面的进展，是在32nm工艺代采用铪基高k电介质和碳化钽（TaC）金属栅。栅电介质与金属栅之间使用薄的介电质盖帽获得了低的阈值电压Vt和导带与价带边低的有效功函数（WFs）。另外，对栅堆栈加工只使用激光退火导致极小的“可维持”栅长大幅减小并改善了对短沟道效应的控制。对鳍形FET（finFET）应用与此相同的加工，可望将它用于22nm工艺代。