应用材料推出存储芯片铜阻挡层技术

美国应用材料公司日前推出Applied Endura Extensa^TMPVD（物理气相沉积）系统，这是业界唯一在亚55纳米存储芯片铜互联的关键阻挡层薄膜沉积工艺中具有量产价值的系统。Extensa系统独特的TiffiN工艺技术使扩散阻挡薄膜具有高水准的阶梯覆盖率，整块硅片上薄膜厚度的不均匀性〈3％。同其他同级别竞争对手的系统相比，它具有最少的缺陷和更低的耗材成本。