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ASML发布最新沉浸式光刻设备可用于38nm存储器
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摘要
ASML Holding NV近13在SEMICON West上发布其最新的沉浸式光刻设备Twinscan XT 1950i。尽管该设备与之前的同类产品同样采用1.35孔径(NA),然而该系统的分辨率从40nm改善至38nm,这能使芯片在面积上收益10%。
出处
《中国集成电路》
2008年第8期7-7,共1页
China lntegrated Circuit
关键词
光刻设备
沉浸式
存储器
SEMICON
分辨率
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
TP391.9 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
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中国集成电路
2008年 第8期
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