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ASML发布最新沉浸式光刻设备可用于38nm存储器

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摘要 ASML Holding NV近13在SEMICON West上发布其最新的沉浸式光刻设备Twinscan XT 1950i。尽管该设备与之前的同类产品同样采用1.35孔径(NA),然而该系统的分辨率从40nm改善至38nm,这能使芯片在面积上收益10%。
出处 《中国集成电路》 2008年第8期7-7,共1页 China lntegrated Circuit
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