摘要
新一代芯片制造是采用氩氟(ArF)激光技术的光刻工艺,然而,由于防护容器(光罩/掩模板)中使用的塑料尚未普遍达到”洁净”标准.塑料”释气”污染的影响比较严重。如果挥发性有机化合物(VOC)或可滤取离子触及硅片、光罩或掩膜板的表面.则可能会损毁设备或妨碍其功能。而使用高能ArF激光,可能会使晶片和容器更易于受”释气”的影响而损毁。为攻克这一难关,沙伯基础创新塑料的LNP特种复合材料部开发了超纯透明UPT Stat-Loy 63000CT系列复合材料。
出处
《电器》
2008年第8期I0017-I0017,共1页
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