爱发科与东京工业大学合作开发出碳纳米管沿底板水平方向成膜的新技术

爱发科与东京工业大学合作开发出了使碳纳米管（CNT）沿底板水平方向成膜的新技术。利用爱发科制造的CNT成膜等离子CVD装置已经证实，单层（Single Wall）CNT可以在Si底板内同向成膜。这项成果为使用CNT作为通道材料的新一代高性能MOSFET的实现开辟了道路。